La technologie à fréquence variable a été développée pour répondre à la demande de régulation de vitesse progressive des moteurs à courant alternatif. À la fin des années 1950, General Electric Company (GE) des États-Unis a introduit le thyristor (redresseur commandé au silicium, SCR), un composant semi-conducteur de puissance qui a fourni un matériel de base révolutionnaire pour la technologie à fréquence variable.
Au début des années 1970, en raison des limites de la régulation de vitesse des moteurs à courant continu, les moteurs à courant alternatif ont gagné en popularité. Poussée par une demande croissante du marché, la technologie a continué d'évoluer et de mûrir. En 1971, les États-Unis et l'Allemagne ont proposé la technologie de contrôle vectoriel, qui a permis aux performances de régulation de vitesse CA des convertisseurs de fréquence d'être comparables à celles de la régulation de vitesse CC. En 1973, les États-Unis ont présenté l'électronique de puissance comme une nouvelle discipline technique, son plus grand domaine d'application étant la régulation de vitesse et les systèmes de transmission. En 1979, le Japon a mis en pratique le système de régulation de vitesse à fréquence variable adoptant le contrôle vectoriel, marquant une nouvelle étape dans le développement technologique.
Dans les années 1980, grâce aux progrès des dispositifs de commutation à semi-conducteurs de puissance et de la technologie microélectronique, les convertisseurs de fréquence ont amélioré leurs performances et leur fiabilité tout en réduisant les coûts de production, ouvrant la voie à leur large application.
Au fil des décennies, les dispositifs électroniques de puissance ont évolué des redresseurs commandés au silicium (SCR) et des thyristors à blocage par la gâchette (GTO) initiaux, en passant par les transistors à jonction bipolaire (BJT), les transistors à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET), les transistors à induction statique (SIT), les thyristors à induction statique (SITH), les transistors à grille MOS (MGT) et les thyristors contrôlés par MOS (MCT), jusqu'aux transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) et aux transistors bipolaires à grille isolée haute tension (HVIGBT) d'aujourd'hui. La mise à niveau de ces dispositifs a élargi les domaines d'application des variateurs de fréquence (VFD) et a entraîné la croissance rapide de l'échelle du marché.
Au début des années 1980, la technologie mondiale des variateurs de fréquence (VFD) a subi une transformation accélérée. Des produits VFD matures ont été largement appliqués dans divers secteurs de l'économie nationale.
Alors que la Chine est devenue l'usine du monde, le développement rapide de son industrie manufacturière a créé un espace de marché en constante expansion pour les produits VFD. Pourtant, à ce jour, on peut encore dire que le marché national des VFD est dominé par les marques étrangères. Les marques japonaises, européennes et américaines représentent 80 % des parts de marché. Ces dernières années, cependant, les marques taïwanaises de VFD ont également obtenu de solides performances, tandis que les marques nationales dans leur ensemble restent dans une position relativement faible.
À la traîne des homologues étrangers de 10 à 15 ans, les marques nationales de VFD ont non seulement réalisé des percées technologiques importantes grâce à des efforts d'accélération de rattrapage ces dernières années, mais plusieurs fabricants se sont également alignés sur les normes internationales et ont acquis une compétitivité d'entreprise considérable.
Les producteurs nationaux de VFD tels que ZONCN, INVT, Ambition et Zhiguang Electric ont commencé à capter une part croissante du marché en raison de leurs avantages de prix. Néanmoins, il ne peut être nié que le facteur clé déterminant la compétitivité des VFD nationaux réside toujours dans leurs capacités technologiques.
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